エニーレイヤー基板(M-VIA Ⅲ)
超微細加工が可能なレーザー技術やフィルドめっき技術などを組み合わせた全層自由接続の基板です。設計の自由度が高く、高密度化できるため、スマートフォンをはじめとする高性能デバイス機器の小型化・薄型化などのニーズに最適な基板です。
特徴
- 全層レーザービアおよびフィルドめっきによるエニーレイヤー基板
- 全層自由接続により薄型、0.4mmピッチCSPに対応可能
- モバイル機器向けに10層 M-VIA III（エニーレイヤー基板）量産
用途
- スマートフォン
- ウェアラブルデバイス
- デジタルカメラ
- デジタルビデオカメラ
- 小型モバイル機器など
断面図
構造例
デザインルール
| 項目 | 記号 | 標準仕様 | ファイン仕様 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| パターン／スペース | ビルドアップ層 | A / A' | 75 / 75 | 50 / 50 | |
| 貫通スルーホール | ドリル径 | B | 300 | 250 | |
| ランド径 | 外層 | C | 550 | 450 | |
| 内層 | D | 600 | 500 | ||
| レーザービア | ビア径 | E | 100 | 75 | |
| ビアランド径 | F | 250 | 220 | ||
| 層間厚み | ビルドアップ層 | G | 60 | 40 | |
| コア層 | H | 60 | 50 | ||
| 基板厚み | 6層 | I | 440 | ||
| 8層 | 590 | ||||
| 10層 | 740 | ||||
- 上記は設定値であり、将来断りなく変更する場合があります
